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NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G 이미지는 참조 용으로 만 사용됩니다, 제품 사양 참조
부품 번호
NSBC114EPDP6T5G
제조사
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
NSBC114EPDP6T5G.pdf
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제품 매개 변수

부품 번호
-
제조사
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
데이터 시트
NSBC114EPDP6T5G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지
SOT-963
연속
-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)
10 kOhms
저항기 -베이스 (R1)
10 kOhms
전력 - 최대
339mW
포장
Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스
SOT-963
다른 이름들
NSBC114EPDP6T5GOSCT
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임
2 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환
-
상세 설명
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
35 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
100mA
기본 부품 번호
NSBC1*

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